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ISO 5618-1:2023
Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for GaN crystal surface defects — Part 1: Classification of defects- 발행일 : 2023-11-15
- 발행기관 : ISO
상세정보
| 분야 | ISO/TC 206 : Fine ceramics |
|---|---|
| 적용범위 | This document gives a classification of the dislocations and process-induced defects, from among the various surface defects, that occur on single-crystal gallium nitride (GaN) substrates or single-crystal GaN films. It is applicable to the dislocations and process-induced defects exposed on the surface of the following types of GaN substrates or films: — single-crystal GaN substrate; — single-crystal GaN film formed by homoepitaxial growth on a single-crystal GaN substrate; — single-crystal GaN film formed by heteroepitaxial growth on a single-crystal aluminium oxide (Al2O3), silicon carbide (SiC) or silicon (Si) substrate. It is not applicable to defects exposed on the surface if the absolute value of the acute angle between the surface normal and the c-axis of GaN is ≥ 8°. |
| 국제분류(ICS)코드 | 81.060.30 : 고급 세라믹 |
| 페이지수 | 7 |
| Edition | 1 |
이력정보
| No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | ISO 5618-1:2023상세보기 | Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for GaN crystal surface defects — Part 1: Classification of defects | 2023-11-15 | 표준 |
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